檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "GaN".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="發光二極體"
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覆晶封裝技術為藍光發光二極體之主流技術，本論文以藍寶石基板之氮化鎵材料為主，開發覆晶式發光二極體製程技術為目的，可大幅提升氮化鎵發光二極體輸出功率與效率。 覆晶發光二極體必須達到低電阻與高反…
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氮化鎵材料系統被廣泛的應用於高功率發光二極體。其中很重要的一部分在於透明導電層的製作。ITO (Indium-tin-oxide)是廣泛被使用的材料之一，應用於氮化鎵系統的材料之中，卻出現了嚴重的問…
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本論文使用商用氮化鎵LED晶圓，利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程，選擇性的將部分最上層的p-AlGaN反轉成n-AlGaN，使其結構由p-i-n變成n-p-i-n結構，在同一…
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改善氮化鎵發光二極體(GaN Light-Emitting Diode)的電流分佈，來得到高發光效率的元件一直是近來年研究的重要議題之一，在使用藍寶石基板(Sapphire)作為發光二極體元件的基板…
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氮化鎵是製作發光二極體最主要的材料之一，而氮化鎵的直接能隙(3.4eV)與氮化銦直接能隙(0.7eV)所混合的三元化合物氮化銦鎵(InGaN)可做為發光二極體以及太陽能電池元件。 由於p型氮化鎵之功…
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近年來氮化鎵材料已成為製作藍光發光二極體的主流且快速的發展。另一方面，自從氮化銦能隙更正後，發現以能隙為紫外光波長的氮化鎵(3.4eV)與紅外光波長的氮化銦(0.7eV)組成的氮化銦鎵，能組合成幾乎…
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發光二極體LED(Light Emitting Diode)其用途及性能都極為廣泛，但可見光發光二極體主要是在藍寶石基板上磊晶，所以散熱一直是個問題。為了改善這個問題，我們利用覆晶封裝的技術，將氮化…
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本論文首度以矽擴散電流阻擋層的結構實現了能在室溫(Room temperature, RT) 20°C (293K)的環境下，連續波(Continuous wave, CW)操作的氮化鎵垂直共振腔面…
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在發光二極體(Light emitting diode, LED)中，串聯電阻造成額外的能量損耗並產生熱，為降低串聯電阻值，本論文先建立LED元件電路模型，依據電流擴散路徑，分析總串聯電阻分別為何處…
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本論文使用有機金屬氣相沈積法(metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD)製備氮化鎵/氮化銦鎵發光二極體，分別利用添加ZnO當作緩衝層、改變GaN在高…